索相科技亮相“2025第三届智能材料与光电子器件研讨会”，展示 LT-8000 多维缺陷表征解决方案

2025 年 5 月 16 日至 18 日，第三届智能材料与光电子器件研讨会在浙江宁波成功举办。索相科技（上海）有限公司受邀参会，围绕半导体新材料与光电子器件缺陷表征前沿问题，展示了公司自主研发的 LT-8000 深能级瞬态谱仪（DLTS） 及其多技术协同测试解决方案。

本次研讨会汇聚了来自高校、科研院所及相关领域的专家学者，重点交流智能材料、光电子器件及其关键表征技术的最新研究进展。

聚焦新材料器件缺陷问题，系统展示多维表征思路

会议期间，索相科技市场部围绕 “多维缺陷特性表征方法在半导体新材料器件研究中的应用探索——基于 DLTS、DLCP、TAS 协同体系” 作了专题报告。报告结合当前第三代及新型半导体材料的发展趋势，系统介绍了深能级缺陷、界面态及热激活陷阱对器件性能与可靠性的影响机理。

报告重点阐述了 DLTS（深能级瞬态谱）、DLCP（驱动电平电容谱） 与 TAS（热导纳谱） 等电学谱技术在缺陷能级解析、空间分布区分及动力学行为研究中的互补优势，提出通过多技术协同构建半导体器件缺陷“全景表征”的研究思路。

LT-8000：面向新材料研究的一体化缺陷分析平台

在报告及交流过程中，索相科技重点展示了 LT-8000 深能级瞬态谱仪 在系统集成度、测试灵活性及应用扩展性方面的特点。LT-8000 支持 DLTS、DLCP、TAS 等多种测试模式，可广泛应用于钙钛矿、GaN、SiC、氧化镓等新型半导体材料及器件研究，为科研人员提供系统化的缺陷分析手段。

与会专家对 LT-8000 在多维缺陷特性表征方面的设计理念与应用实践表现出浓厚兴趣，并就相关测试方法与应用场景进行了深入交流。

持续服务科研前沿，助力半导体材料创新研究

通过本次研讨会，索相科技进一步加强了与高校及科研机构在新材料与光电子器件表征领域的交流与合作。未来，公司将持续围绕 DLTS、DLCP、TAS 等关键缺陷分析技术开展研发与应用探索，为半导体新材料及器件研究提供更加完善、可靠的测试解决方案。