国产深能级瞬态谱仪（DLTS）LT-8000 正式发布，助力第三代及超宽禁带半导体缺陷表征

国产深能级瞬态谱仪 LT-8000 正式发布

2024年1月，索相科技（上海）有限公司正式发布新一代国产深能级瞬态谱仪（DLTS）——LT-8000。
该设备面向第三代及超宽禁带半导体材料与器件研究，聚焦深能级缺陷、电学陷阱及载流子动力学的高精度表征需求，为高校科研平台及先进半导体器件研发提供完整、可靠的 DLTS 测试解决方案。

LT-8000 深能级瞬态谱仪（DLTS）在系统架构、测试功能及应用覆盖范围方面进行了全面升级，适用于 Si、GaAs、GaN、SiC、Ga₂O₃、钙钛矿等多种半导体材料及器件结构，满足从基础材料研究到器件失效机理分析的多层次需求。

面向科研应用的 DLTS 综合测试平台

作为一款面向科研与高端应用的DLTS 测试仪器，LT-8000 不仅支持标准深能级瞬态谱（DLTS）测试，还可扩展实现多种与缺陷相关的电学谱技术，包括：

• 深能级瞬态谱（DLTS）测试
  用于表征半导体材料与器件中的深能级缺陷类型、能级位置、俘获截面及浓度分布；

• 驱动电平电容谱（DLCP）分析
  适用于界面态、体缺陷及空间电荷分布的定量分析；

• 热导纳谱（TAS）分析
  用于研究陷阱态的频率响应特性与热激发行为；

• 离子迁移率测试与计算功能（选件）
  面向钙钛矿及新型半导体材料中离子迁移、电致迟滞与稳定性问题的深入研究。

通过 DLTS、DLCP 与 TAS 等多种技术的协同应用，LT-8000 构建了一个完整的半导体缺陷多维表征平台。

服务第三代及超宽禁带半导体研究需求

随着第三代及超宽禁带半导体材料在功率器件、射频器件及新能源领域的广泛应用，材料缺陷对器件性能与可靠性的影响愈发突出。
LT-8000 深能级瞬态谱仪在设计之初即充分考虑 GaN、SiC、Ga₂O₃ 等材料的测试需求，支持宽温区、高灵敏度及多测试模式配置，能够有效满足新材料、新器件研究中对 DLTS 测试精度与稳定性的要求。

国产 DLTS 仪器的新选择

作为国产自主研发的深能级瞬态谱仪（DLTS），LT-8000 在功能配置、应用覆盖及系统扩展性方面具备显著优势，为高校科研平台和科研项目提供了可靠的国产化选择。

未来，索相科技（上海）有限公司将持续围绕 DLTS、DLCP、TAS 及离子迁移相关测试技术进行深度研发与应用拓展，助力我国半导体材料与器件基础研究能力的不断提升。