- 多种缺陷测试分析方法：深能级瞬态谱（DLTS）、驱动电平电容分析（DLCP）、热导纳谱（TAS） 等
- 多种DLTS测试手段：C-DLTS、I-DLTS、O-DLTS、D-DLTS等
- tDOS计算和离子迁移率计算
- C-V、I-V、C-f、C-t、I-t等参数扫描
- 测试温度范围4K~800K，精度±100mK，适配恒温器（cryostat）和探针台（probe station）
- 标配Semi-Insight Studio软件，界面直观，操作便捷，全自动化测试